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To: kinkblot who wrote (942)1/24/2000 11:41:00 AM
From: kinkblot  Read Replies (1) of 1820
 
www-dta.cea.fr

{new URL, site updated 12/16/99}

From "de Simox a Smart cut" page 3:

Le procédé SMART-CUT peut s'utiliser de façon beaucoup plus générale : un film monocristallin de silicium peut être transféré sur tout type de substrat. Il suffit que le substrat puisse être lié à une plaquette de silicium nu ou recouvert d'une couche diélectrique et que la structure ainsi constituée résiste à des températures de 400°C à 600°C. Des résultats intéressants ont été obtenus dans le cadre de la collaboration LETI-SOITEC sur le silicium sur verre et le silicium sur silice (quartz) pour les applications d'écrans plats pour affichage.

babelfish.altavista.com -- for translation

Separation is accomplished by thermal treatment at 400°C to 600°C which causes rupture along the hydrogen-implanted defect zone.

WT
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